4月14日消息,模拟/混合信号和特种半导体解决方案的领先代工厂X-FAB Silicon Foundries为其XP018高压汽车工艺推出了新的闪存功能。这种新的闪存IP利用了X-FAB已经得到广泛认可的氧化硅氮化物氧化硅(SONOS)技术,该技术具有更高的性能水平和一流的可靠性。它完全符合严格的AEC100-grade 0汽车规范,可在-40°C至175°C的温度范围内工作,并完全支持ISO 26262规定的功能安全级别。


X-FAB发布汽车嵌入式闪存产品,以实现对存储器的完全串行访问


它的阵列大小为32KByte,采用8K x 39位配置,数据总线为32位。另外7位专用于错误代码校正(ECC),以确保现场的零缺陷可靠性。X-FAB专有的XSTI嵌入式非易失性存储器(NVM)IP测试接口也已包含在内,以实现对存储器的完全串行访问。


由于这款汽车级闪存IP能够在单个1.8 V电源上运行,因此非常适合低功耗设计。新增的内置自测试(BIST)模块对于实现有效的存储器测试以及全面的产品调试至关重要。如果需要,X-FAB还能够为客户提供完整的NVM测试服务。


X-FAB是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆代工集团,为汽车、工业、消费、医疗和其他应用制造硅片。通过使用X-FAB的模块化CMOS和SOI工艺,其几何尺寸范围从1.0微米到130纳米,以及其特殊的碳化硅和MEMS长寿命工艺,其全球客户受益于最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新解决方案。X-FAB的模拟数字集成电路(混合信号IC)、传感器和微机电系统(MEMS)在德国、法国、马来西亚和美国的六家生产厂生产。


X-FAB公司NVM开发总监Thomas Ramsch表示:"这个新的IP解决方案进一步丰富了X-FAB针对180纳米开放技术平台的嵌入式闪存产品组合,这些平台有大量的电压和晶圆材料可供选择。这加强了我们向市场提供的产品,使我们能够满足客户在更多应用中的需求。它将在同时期待低功耗和对挑战条件的弹性的情况下具有特殊价值。"


X-FAB发布汽车嵌入式闪存产品,以实现对存储器的完全串行访问


X-FAB公司NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道:"通过能够用新的嵌入式闪存功能补充现有的X-FAB平台,我们的客户将从显著减少占地面积中获益。此外,XP018的模块化方法意味着将需要更少的掩膜层。这两个因素都将有助于实现重大的裸片成本优化。新的Flash IP意味着XP018现在能够以高度经济高效的方式解决需要额外逻辑内容和计算资源的混合信号、高电压应用。这将特别有利于电池供电设备,如便携式或自主智能传感器,在医疗保健、工业、消费和物联网领域具有巨大潜力。"


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