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SK海力士开发新存储级内存,美光SCM产品将在2022年推出

文章来源: 大数据在线       发布时间:2019-07-19

7月16日消息,韩国DRAM和NAND制造商SK海力士(SK Hynix)正积极开发新一代存储级内存(Storage Class Memory,简称SCM),这是目前第五家SCM供应商,其他四家分别是Intel、美光、三星以及WD。早在六个月前,在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,SK海力士研究人员提交了《高性能,经济高效的2z nm双层交叉点存储器,通过自对准方案集成128 Gb SCM》的论文。现在有信息显示,SK海力士(SK Hynix)的SCM产品正处于积极研究阶段。


SK海力士开发新存储级内存,美光SCM产品将在2022年推出


SCM是一个存储层,意味着它是非易失性的,比普通闪存更快,但速度比DRAM慢。与闪存相比,它具有接近DRAM的速度,并且可以通过软件直接在字节级与存储器(加载,存储)语义进行寻址。SCM属于相变存储的一种,是使用与硫属化物选择器装置集成的相变材料的双层(双层)交叉点存储器。


使用相变存储器时,玻璃状硫属化物材料将其内部条件从非晶态变为晶态,并在施加适量电量时再次返回。状态变化具有相关的电阻变化,并且读取电阻水平揭示了电阻水平的二进制值。两个不同的电阻水平用于发信号通知二进制1和0。


使用自对准工艺制造单元。SK海力士(SK Hynix)论文中的图表显示了与英特尔3D XPoint技术的强烈相似性:


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SK海力士Xpoint自对准工艺集成方案图


上图中:(a)电池堆材料沉积; (b)在自对准WL(字线)图案化之后; (c)ILD(层间电介质)沉积,CMP(化学机械抛光)和BL(位线)沉积; (d)自对准BL图案化TE,ME和BE是顶部,中间和基部电极。


SK海力士开发新存储级内存,美光SCM产品将在2022年推出


Intel XPoint 工艺集成方案图


SK海力士该研究设备在16Mb测试阵列中的读取延迟<100 ns,与英特尔的3D XPoint 350ns读取延迟相当。根据SK海力士研究人员的说法,这种延迟使该技术适用于由16组单元组成的128Gb存储级存储芯片。


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SK海力士128Gb XPoint模具纸质平面图


目前市场中已经有五家SCM供应商:


Intel Optane -- 3D XPoint技术


Micron -- QuantX 3D XPoint于2016年夏季亮相,将于今年晚些时候推出


三星 -- Z-NAND


SK海力士即将推出的3D XPoint(硫属化物)技术


Western Digital的ReRAM(电阻式RAM)技术,在Sandisk下开发。


这五家供应商中,Intel无疑是商用步伐最快的供应商,其Optane产品已经在消费级和企业级市场中得到商用。三星的Z-Nand步伐也不慢,三星的Z-SSD系列使用第四代V-NAND,也就是64层堆栈的V-NAND闪存,不过这种闪存跟普通NAND也有不同,三星用了Z-NAND的新名字命名,它的特性介于DRAM内存和NAND闪存之间,性能比NAND闪存更强,但比DRAM又有非易失性的特点,听上去就跟Intel的3D XPoint闪存很相似。据悉,美光的SCM产品可能会在2022年推出,SK海力士和Western Digital的ReRAM依然处于研发阶段。


文章来源:大数据在线

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