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高通携手环旭及华硕抢攻巴西半导体市场,MRAM技术新突破

文章来源: 集微网       发布时间:2019-03-14

高通旗下子公司高通技术与日月光集团旗下环旭电子、华硕14日于巴西圣保罗发布全球首款基于高通骁龙SiP1(Snapdragon SiP 1)的智能手机ZenFone Max Shot和ZenFone Max Plus (M2),宣示3家公司进军巴西、抢攻移动、半导体市场商机的决心。此外,高通技术与环旭合资企业Semicondutores Avançadosdo Brasil S. A.也宣布,将骁龙 SiP工厂设在圣保罗州,预计于2020年正式投产。


高通携手环旭及华硕抢攻巴西半导体市场,MRAM技术新突破


高通QSiP为半导体系统级封装技术,由巴西政府主导,携手高通与环旭共同合作,于巴西圣保罗设立封装厂,瞄准未来智能手机、IoT用SiP封装商机,该厂并将招募800至1000名员工,且预估5年内将投资2亿美元。


巴西圣保罗州长Joao Doria强调,工厂设置计划代表巴西已踏入高密度半导体供应链,这是该地重要里程碑。环旭总经理魏镇炎指出,巴西在整合半导体SiP有相当大成长潜力。并认为,公司在微型化技术方面的经验对于该计划的成功至关紧要。这次商业发布为合资企业在与高通技术公司持续合作中生产产品奠定了基础,并为巴西创造优质的工作机会。


华硕共同执行长许先越也说,华硕是第一家在巴西推出Snapdragon SiP 1的合作厂商。这项项目将能帮助半导体及智能手机产业发展,也期待共同写下巴西科技产业发展的重要里程碑。


高通携手环旭及华硕抢攻巴西半导体市场,MRAM技术新突破


高通总裁Cristiano Amon则介绍,骁龙 SiP作为目前在巴西设计的首款商用多芯片半导体,该产品将众多骁龙移动平台的零组件,如应用处理器、电源管理、射频前端和音讯转码器等整合至单一半导体SiP,为相机、电池等附加零组件提供更多空间,亦使设备能更加轻薄,因此可协助大幅简化终端设备的工程和制造流程,为OEM厂商和物联网设备制造商节省成本和开发时间。


这次三方共同携手,并发表终端应用华硕ZenFone Max Shot智能手机,为全金属机身设计,配备屏占比达86.6%的FHD全屏幕,搭载前一后3镜头,可支持13种AI场景侦测。主镜头为1200万像素,配置500万像素的景深镜头及800万像素的120度广角镜头;前镜头则为800万像素,搭配Softlight LED闪光灯,强调优秀照相体验。此外,ZenFone Max Shot拥有4000 mAh强劲电量,可供使用者连续19小时播放在线影片、20小时的浏览网络。


全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM),准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转,研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(Nature Materials)。


高通携手环旭及华硕抢攻巴西半导体市场,MRAM技术新突破


MRAM为非挥发性存储器技术,断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失,是“不失忆”的存储器。其结构如三明治,上层是自由翻转的铁磁层,可快速处理数据,底层则是钉锁住的铁磁层,可用作存储数据,两层中则有氧化层隔开。


其运作原理当此二铁磁层磁化方向相同,是低电阻态,代表“1”;二铁磁层磁化方向相反,为高电阻态,代表“0”。有别于目前主流存储器SRAM 与 DRAM,MRAM兼具处理与存储信息功能,断电时信息不会流失,电源开启可实时运作,耗能低、读写速度快,成为产业界看好的明日之星。


不过,当中技术关键就是如何操控钉锁住的铁磁层。简单来说,若要将铁磁层磁矩方向钉锁住,只需“黏”上一层反铁磁层即可,制成的铁磁-反铁磁膜层即可应用在磁存储器上。


此现象称为“交换偏压”,虽发现至今已超过60年,其应用性极广,但背后的物理机制未明。且交换偏压操控性极为有限,必须将元件升温,再于外加磁场下降温,才能改变铁磁层磁矩的钉锁方向。


因而世界各研究团队莫不希望突破此困境,寻求突破性的操控技术。其中一个突破点,就是善用自旋流。台湾清大研究团队解释,电子具有电荷,也具有自旋:当电荷流动时,即会产生熟悉的电流,若有办法驱动自旋流动,即可产生自旋流。


据了解,台湾清大研究团队利用自旋流通过铁磁-反铁磁膜层,率先展示操控元件“交换偏压”方向与大小,创下该领域技术新里程碑。且该技术可与现有电子元件操控与制程无缝接轨,是MRAM大突破,为自旋电子学带来崭新视野。


然而,发展过程也非全然顺遂,全球首见的利用自旋流操控交换偏置曾引起审稿委员质疑是元件温度升高所致,与自旋流无关。不过,通过研发团队发新测量技术,排除热效应,成功消弭外界专家质疑。目前研究团队已将相关技术应用到其它结构的纳米膜层,而这项突破除学术贡献外,通过相关计划,对于存储器产业也有决定性影响力。这项技术在学理上的存取速度接近 SRAM,具闪存非挥发性特性,平均能耗远低于 DRAM,具应用于嵌入式存储器潜力,随着AI、物联网设备与更多的数据收集与传感需求,MRAM市场预期将迅速成长。


文章来源:集微网

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