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三星量产业界首款1TB eUFS 采用第五代V-NAND技术

文章来源: 天极网       发布时间:2019-01-30

1月30日,三星今天在官网发布业界首款容量1TB的“嵌入式通用闪存存储器”(eUFS),并开始正式投产,它采用三星第五代V-NAND技术,能够为下一代移动设备带来更出色的使用体验。三星计划在2019上半年扩大将位于韩国Pyeongtaek工厂种第五代512Gb V-NAND产量,以满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的需求。


三星量产业界首款1TB eUFS 采用第五代V-NAND技术


内存竞赛在手机行业越演越烈,最大RAM容量已经提升到12GB,最大的ROM容量也提升到1TB。手机上常见的ROM存储有eMMC、UFS两种,其中最受旗舰手机欢迎的则是UFS存储。


在相同封装尺寸(11.5mm x 13.0mm)内,1TB eUFS解决方案将先前512GB版本的容量提升了一倍,将16个堆叠的三星最先进的512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存控制器组合在一起。新的eUFS速度高达每秒1,000MB/s,随机读写分别为58,000 IOPS和50,000 IOPS,相比512GB提升38%。


三星量产业界首款1TB eUFS 采用第五代V-NAND技术


三星计划在2019年上半年在其位于韩国平泽的工厂扩大其第五代512Gb V-NAND的产量,以充分满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的强劲需求。


可能有的人不知道三星家的eUFS的强大之处,我们通过官方的介绍了解一下:


与 eMMC 相比,eUFS 在读取速度方面表现出更强的性能,顺序读取速度提升高达 40%。当在系统(Gen1 5Gbps、Gen2 10Gbps)上优化 USB 3.1 性能时,文件复制操作可提高 40% 的性能。


三星量产业界首款1TB eUFS 采用第五代V-NAND技术


eUFS不仅传输速度还快,还降低了功耗,因而能提供更出色的能效。实际上,在相同的工作负载下,UFS 展现出比 eMMC 高 8% 的电池寿命。处理相同工作负载的实际工作时间减少 30%。


目前eUFS已经进入到了3.0时代,它将于2019年上半年推出,首批将有128GB、256GB、512GB三种大小的存储容量,最大数据传输速率为2000MB/s,2021年出货1TB存储容量。


三星量产业界首款1TB eUFS 采用第五代V-NAND技术


据悉eUFS 3.0规范发布于去年年初,单通道带宽提升到11.6Gbps,理论最大速度约2.9GB/s,相较于目前旗舰机普遍采用的UFS 2.1直接翻番。


三星电子内存营销执行副总裁Cheol Choi表示:“预计1TB eUFS将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用”。


文章来源:天极网

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