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英特尔将极紫外光刻技术(EUV)延迟至2021年推出!

文章来源: 中国电子报       发布时间:2018-09-07

据9月6日消息,外媒报导,英特尔Intel已经落后于目标进度的工艺技术,上周再次受到打击。据Bernstein的电子工程师兼分析师Mark Li的说法,英特尔已将极紫外光刻技术(EUV)延迟至2021年推出。较竞争对手台积电和三星晚了数年之久。


英特尔将极紫外光刻技术(EUV)延迟至2021年推出!


据了解,因英特尔制程发展延宕的问题,已使得英特尔旗下10 纳米产品线量产亦延迟,因新产线的工艺节点及安装工具都需要花上数年时间,所以普遍会提前几年制定每个节点的具体特性。由于工艺技术的进步(如降低的纳米数) 会提升效率,业界也都会将新技术设计在新节点上。对于EUV 来说尤其如此,与标准的193 纳米ArF 光刻相比,EUV 需要非常不同的制造条件和公差值。


此外,英特尔是否能如期在2021 年推出EUV,也变成了一个问号。因英特尔最初早在 2000 年就计划将于 2004 年推出EUV 技术,然而14 年之后,英特尔还是未能达成此一目标。


主要的代工厂(包括直到上周的格芯GlobalFoundries),多年来一直在讨论关于EUV 的导入。台积电的第一个7 纳米节点不使用EUV,而是使用后来的7 纳米强化版(7FF+) 技术,7 纳米强化版(7FF+) 也将在2019 年初量产。EUV 是否真的如此厉害?台积电公布的数据显示,7FF (无EUV) 相比,外媒《ExtremeTech》指出,7FF+ 可能只有些微的进步。


英特尔将极紫外光刻技术(EUV)延迟至2021年推出!


台积电各制程技术评比/ 图:Anandtech


其实,EUV的主要用途是提升良率、缩短制造时间、以及改善代工业务的成本结构,而不是产生显著的性能改进。台积电也有可能计划对节点进行逐步改进,以达到EUV以外的这些性能和功率目标。


外媒报导称,台积电承认,目前EUV 工具光源的日均功率水平仅为145 瓦,不足以满足商业用途。有些工具可以承受几周内的250 瓦产量,而台积电计划在今年晚些时候让此数据达到300 瓦耐度。然而,EUV 工具仍需要改进。此外,还有一些问题需要解决,比如薄膜(它们传输83%的EUV光线,预计明年将达到90%)。因此,EUV光刻技术的配套措施目前尚未准备好迎接量产,但有望于2019年至2020年实现。


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上述的报告有违之前的预测,曾预计具有200 瓦功率的工具最快可于2009 年推出,但如今2018 年却还未备齐。台积电和三星也强调他们的EUV 计划是首先在非关键领域逐步引入EUV,而非完全马上导入。就如同ASML 去年宣布在其TWINSCAN NXB:3400 中达到了每小时125 片晶圆的吞吐量时,该公司却没有提到实际用此设备制造了多少产品。每一家致力于打造尖端产品的代工厂都在致力于EUV,但没有人可以证明已经完全拥有此技术的全貌。IC Knowledge 总裁Scotten Jones 指出,他预计5 纳米晶圆代工厂目标的时间表非常紧张,且需要新的薄膜,因此,EUV 技术有望在5 纳米时代真正的展开。


文章来源:半导体行业观察


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