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P型硅偏移深度的检测方法;模拟多层膜厚度的方法

项目编号:XP384C982D36784

项目状态:已发布

项目分类: 节能工程

所在地:浙江 / 嘉兴

需求内容:

需求一:

P型硅偏移深度的检测方法:

我公司主要生产多晶硅太阳能电池片,现由于技术原因寻求能够快速测出P型硅偏移深度的解决方案。

需求二:

模拟多层膜厚度的方法:

我公司现由于技术原因多层膜的致密性有差异,寻求技术方案把每层膜的厚度都模拟出来。目前膜厚为20纳米左右,第二层为63纳米左右。




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