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如何消除高反压肖特基芯片反向击穿曲线存在移动问题

项目编号:XP377C392D2231

项目状态:已发布

项目分类: 电子元器件

所在地:浙江 / 杭州

需求内容:

我公司的技术问题:

    1、消除高反压肖特基芯片反向击穿曲线存在移动问题:高压肖特基芯片在测试过程存在击穿曲线向高压方向移动,或者说击穿曲线不够稳定的问题。希望击穿曲线保持稳定不动。 

    2、用于高压肖特基器件制备的4H-SiC衬底及外延:用于制备600V,1200V高压肖特基二极管需要的4H-SiC衬底和外延。其中4H-SiC衬底尺寸为4寸或者6寸,厚度350um,晶向为<0001>,N型掺杂,电阻率小于0.01Ohm-cm,微管缺陷密度小于10 cm-2;同时具备N型掺杂和P型掺杂外延能力,掺杂浓度1E15 cm-3 至1E17 cm-3。 

解决技术难题或引进技术产品大致预算 200 万元

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