高性能纳米电子芯片绝缘材料

技术成果简介

       高性能的电子芯片绝缘材料是开发下一代超高密度电子芯片的关键和瓶颈。根据国际半导体协会的预测,在下一代电子芯片中要求绝缘材料的绝缘系数(k值)小于2.0,来解决由于导线的尺寸及间距缩小而产生的高能耗和信号交叉干扰等问题。本项目是为开发下一代高性能电子芯片绝缘材料来做研究和探索的。含氟聚合物在所有聚合物中具有最低的绝缘系数、良好的热性能和抗湿性,是下一代电子绝缘材料的最佳候选者。不同于以往的建造纳米孔材料的方式,申请人提出了通过纳米球堆积,通过纳米球球间隙引入纳米孔的方法 。所制备的纳米孔材料预期具有超低的k值(k<1.8)、出色的物理化学及机械性能。因此本项目不仅具有应用价值,同时具有重要的学术意义。为我国微电子行业的进一步发展提供了材料基础和技术储备。 

技术成熟程度

       试生产阶段


成果所属领域

       电子信息 


意向合作方式

       产权转让;合作开发