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移动通信基站应用GaN HEMT微波功率管

技术简介


工作频率/ GHz

输出功率 / W

功率增益/ dB

效率 / %

典型值

最低值

典型值

最低值

1.8-2.1

250

16

14

52

50

2.3-2.7

250

16

14

52

50


技术特点

       采用国产SiC衬底材料,基于现有的0.35um和0.5um的GaN基线工艺平台,进行工艺集成和可靠性提升,研制出2G/3G/4G移动通信用的宽带多频段和高效大功率GaN射频功放管,建立自动化测试平台,完成模块级和LTE系统级应用验证。形成从材料、工艺、设计、封装、测试、可靠性到系统应用的国产化技术链和产业链。


预期效益

       本项目产品可用于2G/3G/4G的移动通信基站,为以后的产业化打下良好的产品技术基础。本项目的技术成果也可作为将来5G移动通信系统的器件研发和系统应用的重要基础。